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BSR316PH6327XTSA1

功能描述：MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3

制造商：infineon technologies

系列：SIPMOS?

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET (Metal Oxide)

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：360mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.8 欧姆 @ 360mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 170μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：165pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：*

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：PG-SC-59

标准包装：1

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